高通骁龙835/830详细权威参数曝光，谁挡杀谁？！

在近日深圳举行的高交会上，中国信息通信研究院发布了《移动智能终端暨智能硬件白皮书》。

《白皮书》回顾了过去三季度中国智能手机、平板的发展情况，比较有意思的是，还披露了骁龙芯片的进展——

“高通依然是领先技术水平的代表，其新一代芯片平台骁龙830采用三星10nm FinFET 工艺，基于自研64位kyro架构并实现七模全频LTE，最高主频逼近3GHz”。

这里的骁龙830应该就是上周高通联合三星首次介绍的骁龙835处理器，预计明年上半年搭载产品上市。

这是首次有权威披露骁龙835的主频，3GHz比目前高通最强的骁龙821还提升了27%，竟然完全与高通所说的“骁龙835实现性能提升27%”相契合。

而按照昨天的爆料，骁龙835将会采用升级版64位自主架构Kyro 200，并且是四大、四小的八核设计，基带是X16，最高支持LTE Cat.16，理论下载速度高达1Gbps。

高通下一代旗舰处理器已经命名为骁龙835，那么骁龙830这个命名是否还会存在呢？

按照微博用户@草包科技的说法，骁龙830可能还真的存在，它就是高通规划中的次旗舰SOC，投产时间在2017年下半年。

骁龙830会使用和骁龙835一样的10nm FF工艺打造，相比骁龙835来说在规格方面会有所缩水，比如CPU、GPU以及基带等等。

具体来说，骁龙830可能会使用六核心或者八核心Kryo 200架构，GPU为Adreno 519，整合LTE X12基带，其余特性和骁龙835相同。

不过，@草包科技表示，由于骁龙830的投产时间过于遥远，所以不排除规格变动的可能性。

“有请三丧先尝试喷火龙的威力~”

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